III-V wafer substrates for MOCVD system

13Tage

Angebotsfrist04.02.2025 12:00 Uhr

Ausgeschriebene Leistung

: 1. InP wafer substrates; 3"" (inch), S-doped Thickness 625 ± 15 µm; Diameter 76.2 ± 0.3 mm; Material InP, VB; Doping n-type, S-doped, 2-8E18 cm-3; Mobility 1000-1500 cm2/Vs; Resistivity 5-10E-4 Ohm?cm; Surface finish FS polish/BS etch; Flat orientation Primary/major (0-1-1) ± 0.05°; Flat length 22 ± 1 mm; Wafer bow ? 8 µm; TTV ? 10 µm; TIR ?...

Vergabeart

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Auftrag­geber

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Vergabe­nummer (des Auftraggebers)

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Vergabe-ID (bei evergabe.de)

3104710
13Tage

Angebotsfrist04.02.2025 12:00 Uhr

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Ausführungsorte (2)

  • 15236 Zeschdorf
  • 15236 Frankfurt Oder
    Im Technologiepark 25, Brandenburg

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